IC- NZP
P型激光二极管驱动器
全国房地产经纪人协会ÿ
李泌
PRE
冯A1 ，页8/13
控制模式
平均操作模式RMON计算
AVG = 0
AVG = 1
峰值控制
RMON
=
平均控制
RMON
=
表6 ： RMON尺寸
例子
通过举例的方式，为1mW的输出电平是要
设置的。以1毫瓦的光功率例如激光二极管
HL6342G为15 μA，典型的监测器电流（IM） 。
随后的电阻在获得以下价值
MD引脚（ RMON = PMD + RMD ，其中RMD是一个固定
电阻器和PMD的电位计） ：
最佳性能的建议
用于对激光二极管的工作点被存储在
片上电容器。这允许快速启动，但可以
导致在某些条件不稳定的控制电路
系统蒸发散，如印刷电路板布局或激光不足具有非常
低电流监控器。在该情况下，一个外部电容
器是将要连接尽可能靠近芯片，
跨脚CI和CIS 。这将防止不稳定
该控制电路。对于平均控制10 nF的钙
建议pacitor在CI 。必须特别注意
在PCB布局奠定了从路径时，采取
激光二极管的阴极接地。此路径必须保持
尽可能地短，以避免寄生电感。一
缓冲网络
横跨激光二极管也有助于
补偿这些寄生电感。
图3，图4和图5示出了典型的设置为昼夜温差
同的P， N和M型二极管CON连接gurations 。
V
（ MD ）
IM
V
（ MD ）
IM ×深
RMON
=
0.25
V
V
（ MD ）
=
= 16.67
k
Ω
IM
15
µA
外部电容模式
在应用中，一个外部电容是必需的
（见
最佳性能的建议
以下），则
外部电容模式必须启用（引脚NCID =
低） 。
P型的二极管
RVDD
+3..+5.5V
VDD
RSI
i(RSI)x540
LDA MONITOR
VDDA
CVDD
100 nF的..
RSI
0.68.. 9kΩ
NSLP
VDD
IC- NZP
＆放大器;
1
ECI
CVDDA
100 nF的..
VDDL
雷杰
CIS
PMD
..10 nF的..
CI
RMD
AVG
VSY
SYN
EP
EN
VDD
＆放大器;
LVDS / TTL
+
-
REF
-
+
x280
CI
LDA
IMON
MD
TTL
VDD
..300mA
NCID
输入接口
NERR
过温。
1
过电流
低V （ LDA ）
ECI
输出驱动器
P
带隙，参考温度过高
输出监视器
RGND
GND
T.PAD
GND
图3 ：电路示例P型半导体激光器（接地的情况下）
ICHAUS [ IC-HAUS GMBH ]
