IC- ML
霍尔位置传感器/编码器
冯A3 ，页4/17
电气特性
操作条件： VDD = 5V ±10％ ，环境温度为-40〜 125 ℃，除非另有说明
项
号
001
002
003
004
005
101
102
103
104
105
106
107
符号
参数
条件
分钟。
VDD
我（VDD）的
我（VDD）的某人
电源电压
电源电流
待机电源电流
开路引脚，在正常操作
开针，节电模式（ PRM ）
NEN = VDD
VDD > 4伏，参照图9
VDD < 2.6 V
20
10
10
50
1.28
0.7
-0.2
-0.2
-3
400
0.2
0.2
3
100
4.5
典型值。
5
14
7
马克斯。
5.5
20
10
200
V
mA
mA
µA
µs
µs
千安/米
mm
mm
mm
mm
度
µm
单位
一般
TD （ VDD ）的导通延迟
TD （ VDD ）关闭关闭延时
HEXT
Psens
ysens
XDIS
YDIS
Φdis
hsens
霍尔传感器阵列
该电源线外部磁场科幻场在芯片表面
实力
霍尔传感器阵列间距
霍尔传感器阵列的距离
的模具中心
芯片的侧向位移
包
芯片的垂直位移
包
参见图。 1
参见图。 1
在TSSOP20封装，见图2
在TSSOP20封装，见图2
芯片与TSSOP20包角位移，见图2
参考包装
距离芯片表面到顶部
包
失调电压
偏移量。温度COEF网络cient
电压
输出平均值
SIN / COS的振幅比
截止频率
建立时间
增益输出电压
正弦/余弦幅度
相对角度误差
振荡器频率
振荡器的温度COEF网络cient
器频率
转换滞后
阈值电压高
阈值电压低
开路电压
输入阻抗
阈值电压高
阈值电压低
迟滞
上拉电流
饱和电压高
饱和电压低
上升时间
VT（ ） HYS = VT（ ）喜 - VT（ ） LO
V（ ） = 0 ... VDD - 1 V
VS （ ） HI = VDD - V（ ） ，我（ ） = -4毫安
我（ ）= 4毫安
CL （ ） = 50 pF的
V（ ） AMPL = V （ ）最大 - 伏
参照一个periode ，参照图3
到70 ％的幅度， Hext = 40千安/米
在TSSOP20封装，见图2
信号调理
201
202
203
204
205
206
207
208
301
302
303
304
401
402
403
404
501
502
503
504
601
602
603
VOFF
TC （ Voff时）
VDC
比
FHC
T（ ）结算
V（ ）增益
V（ ） AMPL
AArel
F（ OSC）的
TC （ OSC ）
HYS
VT（ ）喜
VT（ ） LO
V0()
RI（ ）
VT（ ）喜
VT（ ） LO
VT（ ） HYS
IPU （ ）
VS （ ）喜
VS （ ） LO
TR （ ）
输出，与外部连接的磁场扩增
20千安/米突地
-50
-50
45
0.95
50
1.00
20
80
0.05
0.9
-20
200
256
-0.1
1
60
25
43
45
150
78
40
57
450
2
0.8
300
-240
-120
-25
0.4
0.4
60
1.0
150
4.0
1.1
20
300
50
50
55
1.05
千赫
µs
V
V
%
千赫
%/K
最低位
％ VDD
％ VDD
％ VDD
kΩ
V
V
mV
µA
V
V
ns
mV
μV / K
％ VDD
正弦 - 数字转换器
CON组fi guration投入CFG1 ， CFG2 ， CFG3
使能输入NEN
数字输出： A， B，C ，D
ICHAUS [ IC-HAUS GMBH ]
