IC- MFL / IC- MFLT
8 / 12倍的异常安全逻辑N沟道场效应管驱动器
C1版本，页面5/13
绝对最大额定值
除了这些值可能会损坏;设备操作不能保证。
项
号
符号
参数
电源电压
电压OUT1 ... 8/12
峰值电压为OUT1 ... 8/12
电压IN1 ... 8/12 ， EN
电压GNDR参考GND
电压GND参考GNDR
目前在OUT1 ... 8/12 ， IN1 ... 8/12 ， EN
目前在OUT1 ... 8/12
目前在VCC ， GND
目前在GND ， GNDR
ESD敏感性
工作结温
存储温度范围
牛逼< 100毫秒，占空比< 2 ％
HBM 100 pF的通过1.5 kΩ的排出
-40
-55
牛逼< 100毫秒，占空比< 2 ％
牛逼< 100毫秒，占空比< 2 ％
条件
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-10
-10
-50
-100
马克斯。
6
6
18
6
0.3
0.3
10
120
50
10
2
150
125
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
kV
°C
°C
单位
G001 VCC
G002 V（ ）
G003 VP（ ）
G004 V（ ）
G005 V（ GNDR ）
G006 V（ GND ）
G007 IMX （ ）
G008 IMX （ ）
G009 IMX （ ）
G010 IMX （ ）
G011 Vd的（ ）
G012 TJ
G013 TS
热数据
工作条件： VCC = 5V ± 10 ％
项
号
T01
T02
符号
Ta
RthJA
参数
工作环境温度范围
热电阻芯片/环境
SMD装配，不需要额外的冷却区域。
条件
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
125
75
°C
K / W
单位
所有电压以地为参考，除非另有说明。
所有电流进入器件引脚为正;所有流出来的器件引脚为负。
ICHAUS [ IC-HAUS GMBH ]
