IC- LFM
64x1线性图像传感器
全国房地产经纪人协会ÿ
李泌
PRE
冯A0.2 ，第4/9
电气特性
工作条件： VCC = VDD = 5V ± 10 ％ ， RSET = GND ， TJ = -25〜 85°C ，除非另有说明
项
号
001
002
003
004
005
006
007
008
符号
参数
条件
分钟。
VDD
VCC
我（VDD）的
我（ VCC）的
VC （ ）喜
VC （ ） LO
VC （ ）喜
VC （ ） LO
数字电源电压范围
模拟电源电压范围
在VDD电源电流
在VCC电源电流
钳位电压喜在SI ， CLK ， DIS ，VC （ ） HI = V（ ）
−
VCC ;我（ ）= 1毫安
RSET
钳位电压LO在SI ， CLK ， DIS ，VC （ ） HI = V（ ）
−
V（ AGND ） ;我（ ） = -1毫安
RSET
钳位电压喜在AO
钳位电压LO在AO ， VCC ，
VDD，GND
RADIANT敏感区
光谱灵敏度
光谱应用范围
饱和电压LO
饱和电压喜
灵敏度
失调电压
在偏置电压偏差
集成模式
保持在信号差
模式
建立时间
VC （ ） HI = V（ AO ）
−
VCC ;我（AO） = 1毫安
VC （ ） LO = V （ ）
−
V（ AGND ） ;我（ ） = -1毫安
F（ CLK ）= 1 MHz的
F（ CLK ）= 5MHz的
2
0.3
-1.5
0.3
-1.5
4.5
4.5
待定
待定
7
1.8
0.3
1.5
-0.3
典型值。
马克斯。
5.5
5.5
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
单位
设备总
光电二极管阵列
201
202
203
301
302
303
304
305
306
307
A()
S（λ ）的最大
λ
ar
VS （ ） LO
VS （ ）喜
K
V0()
∆V0()
∆V()
TP （ CLK-
AO ）
VCCON
VCCOFF
VCChys
IBIAS （ ）
VREF
VT（ ）喜
VT（ ） LO
VT（ ） HYS
I()
FCLK
每像素200微米× 56.40微米
λ
= 680纳米（参照图1）
S(λ
ar
） = 0.25× S（λ ）最大（参照图1）
我（ ）= 1毫安
VS （ ） HI = VCC
−
V（ ） ，我（ ） = -1毫安
λ
= 680 nm的
积分时间1毫秒，无照明
∆V0()
= V （ AO ） T1
−
V(AO)t2,
∆t
= t2
−
T1 = 1毫秒
∆V0()
= V （ AO ） T1
−
V(AO)t2,
∆t
= t2
−
T1 = 1毫秒
CL （ AO ） = 10 pF的，
CLK LO
→
您好，直到V（ AO ） = 0.98 x垂直（ VCC ）
-250
-150
2.88
400
800
50
150
200
400
0.01128
0.5
980
0.5
1
mm²
/ W
nm
V
V
V / PWS
mV
mV
mV
ns
模拟输出AO
上电复位
801
802
803
901
902
B01
B02
B03
B04
B05
上电发布了VCC
掉电由VCC复位
迟滞
允许的外部偏置电流
参考电压
阈值电压喜
阈值电压LO
迟滞
下拉电流
允许的时钟频率
VT（ ） HYS = VT（ ）喜
−
VT（ ） LO
我（ RSET ） =的Ibias
VCChys = VCCON
−
VCCOFF
1
0.4
20
2.5
1.4
0.9
300
10
30
3
1
2
100
3.5
1.8
1.2
800
50
5
4.4
V
V
V
µA
V
V
V
mV
µA
兆赫
偏置电流调整RSET
输入接口SI ， CLK ， DIS
ICHAUS [ IC-HAUS GMBH ]
