IC- HQ
高性能的四运放
y
INAR
relim
p
冯A1 ,第3/7页
绝对最大额定值
除了这些值可能会损坏;设备操作不能保证。
项
号
符号
参数
电源电压
目前在VDD
电压IPX , INx的
目前在IPX , INx的
电压在牛年
目前在牛年
输入差分电压
易患ESD在所有引脚
存储温度范围
工作结温
V( IPX )
−
V( INx的)
HBM , 100 pF的通过1.5 kΩ的排出
-40
-40
引用到GND ,V (牛年) < VDD + 0.5 V
条件
分钟。
-0.5
-10
-0.5
-5
-0.5
-30
-6
马克斯。
6
80
VDD +
0.5
5
6
30
6
1
150
150
V
mA
V
mA
V
mA
V
kV
°C
°C
单位
G001 VDD
G002我(VDD)的
G003 V( )
G004我( )
G005 V( )
G006我( )
G007 VDIFF ( )
G008 Vd的( )
G009 TS
G010 TJ
热数据
工作条件: VDD = 5V ± 10 %
项
号
T01
T02
符号
Ta
RthJA
参数
工作环境温度范围
热电阻芯片/环境
SMD装配,无需额外冷却的区域
条件
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
125
140
°C
K / W
单位
所有电压以地为参考,除非另有说明。
所有电流进入器件引脚为正;所有流出来的器件引脚为负。