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IC-HG_11 参数 Datasheet PDF下载

IC-HG_11图片预览
型号: IC-HG_11
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内容描述: 3镭射激光开关 [3 A LASER SWITCH]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 21 页 / 778 K
品牌: ICHAUS [ IC-HAUS GMBH ]
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IC- HG
3镭射激光开关
全国房地产经纪人协会ÿ
李泌
PRE
转A2 ,页6/21
电气特性
工作条件: VDD = 3.0 ... 5.5 V , AGND1 。 。 。 6 = GND , TJ = -25 ... 125°C ,除非另有说明
001
002
003
004
005
006
007
008
009
010
符号
参数
条件
分钟。
VDD
我(VDD)的
我(VDD)的
V( LDKx )
V( NER )
VC ( )喜
VC ( NER )
VC ( CIX )喜
VC ( )喜
VC ( ) LO
允许的电源电压
在VDD电源电流
在VDD电源电流
允许电压在LDKx
允许电压在NER
钳位电压喜在LDKx
钳位电压喜在NER
钳位电压喜在CIX
我( LDK ) = 10毫安
我( NER) = 1毫安
VC ( CIX ) = V ( CIX )
VDD ;
我( CI ) = 10 mA时,其他引脚开路
CW操作
脉冲操作中,f ( ENX ) = 200 MHz的
-0.3
-0.3
12.1
7
0.3
0.8
-1.6
15
3
典型值。
马克斯。
5.5
10
700
12
5.5
18
18
1.6
3
-0.3
V
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
单位
共有设备( X = 1 。 6 )
钳位电压喜在ENX , ELVDS维生素C ( )= V( )
VDD ;
我( )= 1毫安,其他引脚开路
钳位电压LO在VDD , LDKx ,我( ) = -10毫安,其他引脚开路
CIX , ENX , AGNDx , ELVDS , NER
激光控制LDK1 。 。 。 6 , CI1 。 。 。图6(中x = 1 。 6)
101
102
103
104
105
106
107
108
ICW ( LDKx )允许CW电流的LDKx
(每通道)
VS ( LDKx )
I0(LDKx)
TR ( )
TF ( )
TR ( )
TF ( )
TR ( )
饱和电压在LDKx
在LDKx漏电流
LDKx电流上升时间快
LDKx电流下降时间快
LDKx电流上升时间慢
LDKx电流下降时间慢
LDKx电流上升时间慢
我( LDKx ) = 450毫安,
V( CIX ) = V ( CIX ) @I ( LDKx ) = 500毫安
ENX = LO ,V ( LDKx ) = 12 V
IOP ( LDKx ) = 500 mA时,我( LDKx ) : 10 %
90 %眼压,
V( ELVDS ) = 0 V或VDD
IOP ( LDKx ) = 500 mA时,我( LDKx ) : 90 %
10 %眼压,
V( ELVDS ) = 0 V或VDD
IOP ( LDKx ) = 500 mA时,我( LDKx ) : 10 %
90 %眼压,
V( ELVDS ) = 30 % VDD或70 % VDD , VDD = 5 V
IOP ( LDKx ) = 500 mA时,我( LDKx ) : 90 %
10 %眼压,
V( ELVDS ) = 30 % VDD或70 % VDD , VDD = 5 V
IOP ( LDKx ) = 500 mA时,我( LDKx ) : 10 %
90 %眼压,
V( ELVDS ) = 30 % VDD或70 % VDD ,
VDD = 3.3 V
IOP ( LDKx ) = 500 mA时,我( LDKx ) : 90 %
10 %眼压,
V( ELVDS ) = 30 % VDD或70 % VDD ,
VDD = 3.3 V
V( ELVDS ) = 0 V或VDD ,差分LVDS崛起
时间和下降时间< 0.5纳秒
5
5
10
10
10
30
500
1.5
100
1
1
40
40
90
mA
V
µA
ns
ns
ns
ns
ns
109
TF ( )
LDKx电流下降时间慢
10
30
90
ns
110
111
112
113
114
115
116
117
TP ( )
CR ( )
V( CIX )
VT( CIX )
V( CIX )
IPD ( CIX )
C( CIX )
VC ( LDKx )
传播延迟快速
V( ENX )
我( LDKx )
电流匹配所有通道
允许电压在CIX
阈值电压CIX
工作电压为CIX
下拉电流在CIX
容量CIX
钳位电压在LDKx
3
0.9
-0.3
5
14
1.1
VDD
1.2
ns
V
V
V
µA
pF
V
我( LDKx ) < 5毫安
我( LDKx ) = 500 mA时, V( LDKx ) > 1.8 V
V( CIX ) = 0.5 。 。 。 5.5 V
V( CIX )= 2 V
我( LDKx ) = 100毫安, tclamp < 1毫秒,
tclamp / T < 1 : 100
V( ELVDS ) < 35 % VDD , TTL
V( ELVDS ) < 35 % VDD , TTL
VHYS ( ) = VT( )喜
VT( ) LO ;
V( ELVDS ) < 35 % VDD , TTL
V( ELVDS ) < 35 % VDD ,V ( ) = 0.8 V. 。 。 VDD , TTL
V( ELVDS ) > 65 % VDD ,V ( ENX ) < VDD
1.4 V,
LVDS
VDIFF = | V ( EN1,3,5 )
V(EN2,4,6)|;
V( ELVDS ) > 65 % VDD , LVDS
0.5
2
1
500
12.5
2.5
635
2.9
5
760
20
输入EN1 。 。 。图6(中x = 1 。 6)
201
202
203
204
205
206
VT( TTL )喜
VT( TTL ) LO
输入阈值电压喜
输入阈值电压LO
2
0.8
50
4
14
200
30
80
28
V
V
mV
µA
kΩ
mV
VHYS ( TTL )滞后
我( ENX )
R( ENX )
VDIFF
下拉电流
差分输入阻抗
ENX
差分电压