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ICE7N60 参数 Datasheet PDF下载

ICE7N60图片预览
型号: ICE7N60
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 605 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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初步数据表
ICE7N60
参数
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
V
SD
t
rr
Q
rr
I
rm
V
GS
=0V,
I
S=
I
F
-
-
0.9
277
2.6
20
1.2
-
-
-
V
ns
µC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DS
=480 V,
I
D
=7A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
4.6
6.4
21
5.5
-
-
-
-
V
nC
符号
条件
典型值
最大
单位
V
RR
=480V,
I
S=
I
F
,
d
iF
Id
t
= 100 A / μS
-
-
SP-7N60-000-3
05/15/2013
3