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    ICE2N65D 参数 Datasheet PDF下载

    ICE2N65D图片预览
    型号： ICE2N65D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 增强型MOSFET [Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 718 K
    品牌： ICEMOS [ Icemos Technology ]
     浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ICE2N65D的Datasheet PDF文件第9页  
    初步数据表
    ICE2N65D
    输出特性
    6
    V
    GS
    = 10〜 6V
    传输特性
    6
    5
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    4
    3
    2
    T
    J
    = 150˚C
    5
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    4
    3
    2
    1
    0
    5V
    1
    25˚C
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    0
    2
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    4
    6
    8
    V
    GS
    - 栅极 - 源极（V）的
    10
    在电阻与漏电流
    2.0
    R
    DS （ ON）
    - 导通状态电阻（ Ω ）
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    V
    GS
    = 10V
    在电阻与结温
    4.0
    R
    DS （ ON）
    - 导通状态电阻
    （归一化）
    3.5
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 1A
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0.0
    0
    2
    4
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    栅极电荷
    10
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    V
    GS （ TH）
    - 栅极阈值电压
    （归一化）
    9
    8
    7
    6
    5
    V
    DS
    =
    480V
    I
    D
    = 2A
    栅极阈值电压VS结温
    1.4
    1.3
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    0.4
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    I
    D
    = 250μA
    4
    3
    2
    1
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    SP-2N65D-000-0
    11/22/2013
    4

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