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    ICE20N170B 参数 Datasheet PDF下载

    ICE20N170B图片预览
    型号： ICE20N170B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 530 K
    品牌： ICEMOS [ Icemos Technology ]
     浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ICE20N170B的Datasheet PDF文件第9页  
    初步数据表
    ICE20N170B
    参数
    栅极电荷特性
    门源费
    栅漏电荷
    栅极电荷总量
    栅极电压平台
    反向二极管
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    峰值反向恢复电流
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    rm
    V
    GS
    =0V,
    I
    S=
    I
    F
    -
    -
    0.9
    407
    6.7
    32
    1.2
    -
    -
    -
    V
    ns
    µC
    A
    Q
    gs
    Q
    gd
    Q
    g
    V
    高原
    V
    DS
    =480 V,
    I
    D
    =20A,
    V
    GS
    =10 V
    -
    -
    -
    -
    13
    23
    62
    5.8
    -
    -
    -
    -
    V
    nC
    符号
    条件
    值
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    RR
    =480V,
    I
    S=
    I
    F
    ,
    d
    iF
    Id
    t
    = 100 A / μS
    -
    -
    SP-20N170B-000-2b
    05/31/2013
    3

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