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ICE17N60FP 参数 Datasheet PDF下载

ICE17N60FP图片预览
型号: ICE17N60FP
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 586 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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初步数据表
ICE17N60FP
参数
热特性
热阻, Junction-
a
热阻, Junction-
环境
a
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米从( 0.063英寸)
情况下进行10秒
-
-
-
-
-
-
3.5
o
符号
条件
典型值
最大
单位
C / W
80
260
o
焊接温度,波
T
出售
焊接只允许在引线
C
电气特性
b
,
at
T
j
=25
o
C,除非另有规定编
静态特性
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
V
GS
=0 V,
I
D
=250µA
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250µA
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
o
T
j
=25 C
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
o
T
j
=150 C
V
GS
=±20 V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=8.5A,
o
T
j
=25 C
V
GS
=10V,
I
D
=8.5A,
o
T
j
=150 C
f=1
MHZ ,漏极开路
600
2.1
-
-
-
-
-
-
640
3
0.1
-
-
0.19
0.5
4.7
-
3.9
1
µA
100
100
0.22
-
-
nA
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门源漏电流
漏源
导通状态电阻
栅极电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
GSS
R
DS ( ON)
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
g
fs
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f=1
兆赫
V
DS
>2*I
D
*R
DS
, I
D
=8.5A
V
DS
=380V,
V
GS
=10V,
I
D
=17A,
R
G
= 4Ω (外部)
-
-
-
-
-
-
-
-
1800
600
5
15
39
10
55
6
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
S
pF
SP-17N60FP-000-3
05/15/2013
2