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ICE15N60FP 参数 Datasheet PDF下载

ICE15N60FP图片预览
型号: ICE15N60FP
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 584 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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初步数据表
ICE15N60FP
输出特性
45
V
GS
= 10〜 7V
传输特性
45
40
I
D
- 漏电流( A)
6V
40
I
D
- 漏电流( A)
35
30
25
20
15
10
5
4V
5V
35
30
25
20
15
10
5
0
25˚C
T
J
= 150˚C
0
0
4
8
12
16
0
2
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极(V)的
10
在电阻与漏电流
700
R
DS ( ON)
- 通态电阻(mΩ )
R
DS ( ON)
- 导通状态电阻
(归一化)
600
500
400
V
GS
= 10V
在电阻与结温
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
GS
= 10V
I
D
= 7.5A
300
200
100
0
0
10
20
30
I
D
- 漏电流( A)
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
V
GS ( TH)
- 栅极阈值电压
(归一化)
9
8
7
6
5
V
DS
=
480V
I
D
= 15A
栅极阈值电压VS结温
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250μA
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
SP-15N60FP-000-8b
08/23/2013
4