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ICE10N65FP 参数 Datasheet PDF下载

ICE10N65FP图片预览
型号: ICE10N65FP
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 588 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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初步数据表
ICE10N65FP
参数
热特性
热阻, Junction-
a
热阻, Junction-
环境
a
焊接温度,波
焊接只允许在引线
R
thJC
R
thJA
T
出售
含铅
1.6毫米从( 0.063英寸)
情况下进行10秒
-
-
-
-
-
-
3.5
° C / W
80
260
°C
符号
条件
典型值
最大
单位
电气特性
b
,
at
T
= 25℃ ,除非另有说明
j
静态特性
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
V
GS
=0 V,
I
D
=250µA
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250µA
V
DS
=650V,
V
GS
=0V,
o
T
j
=25 C
V
DS
=650V,
V
GS
=0V,
o
T
j
=150 C
V
GS
=±20 V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=4.75A,
o
T
j
=25 C
V
GS
=10V,
I
D
=4.75A,
o
T
j
=150 C
f=1
MHZ ,漏极开路
650
2.1
-
-
-
-
-
-
675
3
0.1
-
-
0.35
0.63
5
-
3.9
1
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
µA
100
100
0.38
-
-
nA
门源漏电流
漏源
导通状态电阻
栅极电阻
动态特性
I
GSS
R
DS ( ON)
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
g
fs
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f=1
兆赫
V
DS
>2*I
D
*R
DS
, I
D
=4.75A
V
DS
=380V,
V
GS
=10V,
I
D
=9.5A,
R
G
=4Ω
(外部)
-
-
-
-
-
-
-
-
1250
600
5
12
6
3.5
54
7
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
S
pF
SP-10N65FP-000-3b
06/05/2013
2