ICE60N160B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ICE60N160B
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 533 K
品牌：	ICEMOS [ Icemos Technology ]

Preliminary Data Sheet

ICE60N160B

Parameter

Gate charge characteristics

Gate to source charge

Gate to drain charge

Gate charge total

Gate plateau voltage

Reverse Diode

Diode forward voltage

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

Peak reverse recovery current

=0V,

1.0

440

1.2

µC

plateau

=480 V,

=23.8A,

=0 to 10 V

Symbol

Conditions

Values

Min

Typ

Max

Unit

=480V,

=100 A/µS

SP-60N160B-000-2a

06/05/2013

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