ICE20N170FP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ICE20N170FP
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 584 K
品牌：	ICEMOS [ Icemos Technology ]

Preliminary Data Sheet

ICE20N170FP

Values

Unit

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Gate charge characteristics

Q_gs

Gate to source charge

5.8

Q_gd

Gate to drain charge

Gate charge total

V_DS=480 V, I_D=20A,

V_GS=10 V

Q_g

Gate plateau voltage

V_plateau

Reverse Diode

V_SD

t_rr

V_GS=0V, I_S=I_F

µC

Diode forward voltage

0.9

407

6.7

1.2

Reverse recovery time

V_RR=480V, I_S=I_F,

d_iFId_t=100 A/µS

Reverse recovery charge

Peak reverse recovery current

Q_rr

I_rm

SP-20N170FP-000-4

05/15/2013

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