ICE15N60W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ICE15N60W
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 602 K
品牌：	ICEMOS [ Icemos Technology ]

Preliminary Data Sheet

ICE15N60W

Values

Unit

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Gate charge characteristics

Q_gs

Gate to source charge

5.5

Q_gd

Gate to drain charge

Gate charge total

V_DS=480 V, I_D=15A,

V_GS=0 to 10 V

Q_g

Gate plateau voltage

V_plateau

Reverse Diode

V_SD

t_rr

V_GS=0V, I_S=I_F

µC

Diode forward voltage

0.9

400

1.2

Reverse recovery time

V_RR=480V, I_S=I_F,

d_iFId_t=100 A/µS

Reverse recovery charge

Peak reverse recovery current

Q_rr

I_rm

SP-15N60W-000-2a

08/23/2013

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9