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ICE10N73 参数 Datasheet PDF下载

ICE10N73图片预览
型号: ICE10N73
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内容描述: 增强型MOSFET [Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 491 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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Preliminary Data Sheet  
ICE10N73  
Transfer Characteristics  
Output Characteristics  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
VGS=10 to 7V  
6V  
5V  
TJ = 150˚C  
25˚C  
0
0
0
2
4
6
8
10  
0
0
0
5
10  
15  
20  
VGS - Gate-to-Source (V)  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
On Resistance vs Junction Temperature  
On Resistance vs Drain Current  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
VGS = 10V  
ID = 5A  
VGS = 10V  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
ID - Drain current (A)  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
Gate Charge  
Gate Threshold Voltage vs Junction Temperature  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
VDS  
=
480V  
ID = 10A  
ID = 250μA  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
20  
40  
60  
80  
100  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
Qg - Total Gate Charge (nC)  
SP-10N73-000-1c  
04/16/2013  
4
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