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    IBM0165165BT3C-50 参数 Datasheet PDF下载

    IBM0165165BT3C-50图片预览
    型号： IBM0165165BT3C-50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, PLASTIC, TSOP-50]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 31 页 / 350 K
    品牌： IBM [ IBM ]
     浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第21页浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第22页浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第23页浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第24页浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第26页浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第27页浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第28页浏览型号IBM0165165BT3C-50的Datasheet PDF文件第29页  
    IBM0165165B  
    IBM0165165P  
    ADVANCED  
    4M x 16 12/10 EDO DRAM  
    Self Refresh Cycle (Sleep Mode) - Low Power version only  
    tRASS  
    tRPS  
    VIH  
    RAS  
    VIL  
    tRPC  
    tCSR  
    tCRP  
    tCHS  
    tCP  
    VIH  
    VIL  
    UCAS  
    LCAS  
    tWRH  
    tWRP  
    VIH  
    VIL  
    WE  
    tOFF  
    VOH  
    VOL  
    DOUT  
    Hi-Z  
    : “H” or “L”  
    NOTE: Address and OE are “H” or “L”  
    Once tRASS (min) is provided and RAS remains low, the DRAM will be in Self Refresh,  
    commonly known as “Sleep Mode.”  
    ©IBM Corporation, 1996. All rights reserved.  
    Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
    27H6253  
    SA14-4239-02  
    10/96  
    Page 25 of 31  

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