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    IBM014405MJ1-60 参数 Datasheet PDF下载

    IBM014405MJ1-60图片预览
    型号： IBM014405MJ1-60
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    内容描述： [EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 30 页 / 340 K
    品牌： IBM [ IBM ]
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    IBM014405M IBM014405  
    IBM014405P IBM014405B  
    1M x 4 10/10 EDO DRAM  
    Self Refresh Cycle (Sleep Mode) - Low Power version only  
    tRASS  
    tRPS  
    VIH  
    RAS  
    VIL  
    tRPC  
    tCSR  
    tCRP  
    tCP  
    tCHD  
    VIH  
    VIL  
    CAS  
    WE  
    tWRH  
    tWRP  
    VIH  
    VIL  
    tOFF  
    VOH  
    VOL  
    DOUT  
    Hi-Z  
    : “H” or “L”  
    NOTE: Address and OE are “H” or “L”  
    Once RAS (min) is provided and RAS remains low, the DRAM will be in Self Refresh,  
    commonly known as “Sleep Mode.”  
    ©IBM Corporation, 1996. All rights reserved.  
    Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
    27H6242  
    SA14-4232-03  
    Revised 6/96  
    Page 26 of 29  

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