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    IBM014405BJ1-60 参数 Datasheet PDF下载

    IBM014405BJ1-60图片预览
    型号： IBM014405BJ1-60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 30 页 / 340 K
    品牌： IBM [ IBM ]
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    IBM014405  
    IBM014405M  
    IBM014405B IBM014405P  
    1M x 4 10/10 EDO DRAM  
    Revision Log  
    Revision  
    11/07/95  
    5/06/96  
    Contents of Modification  
    Initial Release  
    1. Corrected tCAC  
    (19 ns to 18 ns) in the “Features” section.  
    1. Removed “Preliminary” classification.  
    2. Add Hidden Refresh (Write) timing diagram.  
    3. Change tOED, tCDD from 20ns to 15ns for -70ns.  
    6/13/96  
    ©IBM Corporation, 1996. All rights reserved.  
    Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
    27H6242  
    SA14-4232-03  
    Revised 6/96  
    Page 29 of 29  

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