2N7002KDW
60V ESD保护
N沟道增强型MOSFET
特点
•先进的加工技术
•超低导通电阻： 2Ω
•开关速度快：为20ns
•低输入和输出泄漏电流
• 2KV ESD保护
•专为高速电路，
电池供电系统，驱动程序：灯具，
晶体管，继电器，存储器，显示器等。
•符合欧盟RoHS指令2002 /95 / EC
MECHANIAL数据
•案例： SOT- 363模压塑料
•码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
•标记： 702
R
DS （ ON）
, V
GS
@ 10V ，我
DS
@500mA=2Ω
R
DS （ ON）
, V
GS
@ 4.5V ，我
DS
@200mA=3Ω
SOT-363
尺寸英寸（毫米）
最大额定值和热特性（T
C
=25
O
C除非另有说明）
P一R A M E TE ř
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G A T E - S 0乌尔权证武升TA克é
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DS
V
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结到环境热阻（ PCB安装）
2)
T
C
=2 5
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O
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O
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C
注意：
1.最大直流的套餐电流限制
2.表面安装在FR4板， t<5sec
公司保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
REV1.0 ：十月2011
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HY [ HY ELECTRONIC CORP. ]
