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HY57V641620HGT-H 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGT-H图片预览
型号: HY57V641620HGT-H
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 88 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V641620HG
A B S 0吕T E M A X IM ü M R一T IN的s
P一R A M E之三
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
S S
在V电压
D D
相对于V
S S
短路输出电流
功耗
焊接温度
T I M E
T
A
T
S T摹
V
IN
, V
O u那样牛逼
V
DD,
V
D D Q
I
O 4 S
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
等级
°
C
°
C
V
V
mA
W
°
C
发E ç
单位
N}÷ TE :
Ø perationataboveabsolu temaximumratingcanadv erselyaffectdevicerel iability
D C Ø P·E R A T IN克碳Ø N D资讯IO ñ
P一R A M E之三
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
D D
, V
DDQ
V
IH
V
IL
( T A = 0吨O 7 0
°
C
)
3.0
2.0
V
S S小Q
- 2.0
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DDQ
+ 2.0
0.8
加利我
t
V
V
V
N}÷ TE
1,2
1,3
1,4
N}÷ TE :
1.所有电压参考V
SS
= 0 V
2.VDD HY57V641620HG ( L) (分) T-5 /55/ 6为3.135V
3.V
IH
(max)是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
持续时间为3ns
4.V
IL
(分钟)是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
持续时间为3ns
A C O·P é R A T IN克碳Ø N D资讯IO ñ
P一R A M E之三
AC输入高/低电平电压
( T A = 0吨O 7 0
°
C
, V
D D
= 3 . 3
±
0 . 3 V
Note2
, V
SS
=0V)
S y时M B 0 1
V
I H
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
50
加利我
t
V
V
ns
V
pF
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
1
N}÷ TE :
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容( 50pF的)
有关详细信息,请参阅AC / DC输出电路
2.VDD HY57V641620HG ( L) (分) T-5 /55/ 6为3.135V
修订版0.5 / Jun.01
4