GM71V18163C
GM71VS18163CL
电容
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ，T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
输出电容（数据输入/输出）
民
-
-
-
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2 UCAS和LCAS = V
IH
禁用ð
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ，T
A
= 0 ~
+
70 ，注意事项1， 2 ， 18 ， 19 ， 20 ）
测试条件
输入上升和下降时间： 2纳秒
输入电平： V
IL
= 0V, V
IH
= 3V
输入时序参考电平： 0.8V ， 2.0V
输出时序参考电平： 0.8V ， 2.0V
输出负载： 1TTL门+ C
L
（ 100 pF的）
（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
从D- CAS延迟时间
IN
转换时间（上升和下降）
GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163
C/CL-6
C/CL-7
C/CL-5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
84
30
8
-
-
-
104
40
10
-
-
-
124
50
13
-
-
-
50
10,000
8
10,000
0
8
0
8
12
10
10
35
5
13
0
0
2
-
-
-
-
37
25
-
-
-
-
-
-
50
60
10,000
10
10,000
0
10
0
10
14
12
13
40
5
15
0
0
2
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
70
10,000
13
10,000
0
10
0
13
14
12
13
45
5
18
0
0
2
-
-
-
-
52
35
-
-
-
-
-
-
50
21
21
3
4
23
22
5
6
6
7
修订版0.1 / Apr'01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
