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GM71C17800CLJ-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71C17800CLJ-6图片预览
型号: GM71C17800CLJ-6
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内容描述: 2,097,152字× 8位CMOS动态RAM [2,097,152 WORDS x 8 BIT CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 94 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71C17800C
GM71CS17800CL
注意事项:
1. AC测量假设吨
T
= 5
ns
.
2. 200我们需要后面至少8开机后的初始暂停
初始化周期(含周期的任意组合的RAS -只刷新或CAS先接后
RAS刷新) 。如果内部刷新计数器的情况下,最小的8 CAS先于RAS
刷新周期是必需的。
3.操作用t
RCD
(最大值)限制确保了吨
RAC
(最大值)可以得到满足,T
RCD
(最大)被指定为一个
参考点而已;如果T
RCD
大于指定吨
RCD
(最大值)限值,则访问时间
独家采用t控制
CAC
.
4.操作用t
拉德
(最大值)限制确保了吨
RAC
(最大值)可以得到满足,T
拉德
(最大)被指定为一个
参考点而已;如果T
拉德
大于指定吨
拉德
(最大值)限值,则访问时间
独家采用t控制
AA
.
5.无论吨
ODD
或T
CDD
必须得到满足。
6.无论吨
DZO
或T
DZC
必须得到满足。
7. V
IH
(MIN)和V
IL
(最大值)是参考电平,用于测量输入信号的定时。另外,
过渡时间V之间测量
IH
(MIN)和V
IL
(最大值)。
8.假设那件T
RCD
< = T
RCD
(最大值)和叔
拉德
< = T
拉德
(最大值)。
如果T
RCD
或T
拉德
大于
在此表中,T表示最大建议值
RAC
超出显示的值。
9.测量与相当于2TTL载荷和100pF的负载电路。 (Ⅴ
OH
=
2.4V , V
OL
= 0.4V)
10.假设那件T
RCD
& GT ; = T
RCD
(最大值)和叔
拉德
< = T
拉德
(最大值)。
11.假设那件T
RCD
< = T
RCD
(最大值)和叔
拉德
& GT ; = T
拉德
(最大值)。
12.要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
13. t
关闭
(最大值)和叔
OEZ
(最大值)定义的时间处的输出达到开路状态
并没有提及输出电压电平。
14. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
和T
AWD
和T
CPW
不是限制性的操作参数。它们被包括在
数据表作为唯一的电气特性;如果T
WCS
& GT ; = T
WCS
(分钟) ,则该循环是一个早期写入
周期和数据输出引脚将保持开路(高阻抗)在整个周期;
如果T
RWD
& GT ; = T
RWD
(分钟) ,T
CWD
& GT ; = T
CWD
(分钟) ,和叔
AWD
& GT ; = T
AWD
(分钟)或T
CWD
& GT ; = T
CWD
( MIN)
t
AWD
& GT ; = T
AWD
(分钟) ,和叔
CPW
& GT ; = T
CPW
(分钟) ,周期是读-modify-写入和数据输出
将包含从所选择的单元中读取数据;如果既不的条件在上述套是
满足时,数据的状态输出(在存取时间)是不确定的。
15.这些参数被称为CAS的前缘在早期的写周期和WE前缘
在延迟写入或读 - 修改 - 写周期。
16. t
RASP
定义快速页面模式的周期RAS脉冲宽度。
17.获取时间由T的再确定
AA
或T
CAC
或T
ACP
.
18.在延迟写入或读 - 修改 - 写周期, OE必须禁止输出缓冲器申请之前,
数据到该设备。 RAS是复位后,如果T
OEH
& GT ; = T
CWL
,在I / O引脚将保持开路(高
阻抗) :若T
OEH
& LT ; = T
CWL
,无效数据会出在每个I / O 。
修订版0.1 / Apr'01