HY5DS283222BF-4 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY5DS283222BF-4
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内容描述：	128M （ 4Mx32 ） GDDR SDRAM [128M(4Mx32) GDDR SDRAM]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	28 页 / 322 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

1HY5DS283222BF(P)

OPERATION COMMAND TRUTH TABLE - II

Current

State

/CS

/RAS

/CAS

/WE

Address

Command

Action

ILLEGAL⁴

BA, RA

BA, AP

ACT

PRE/PALL

AREF/SREF

Term burst, precharge

WRITE

ILLEGAL¹¹

Continue burst to end

ILLEGAL

OPCODE

MRS

DSEL

NOP

BST

ILLEGAL¹⁰

ILLEGAL^4,10

ILLEGAL¹¹

BA, CA, AP

READ/READAP

READ

WITH

AUTOPRE-

CHARGE

BA, CA, AP

BA, RA

BA, AP

WRITE/WRITEAP

ACT

PRE/PALL

AREF/SREF

ILLEGAL¹¹

Continue burst to end

ILLEGAL

OPCODE

MRS

DSEL

NOP

BST

ILLEGAL¹⁰

ILLEGAL^4,10

ILLEGAL¹¹

BA, CA, AP

READ/READAP

WRITE

AUTOPRE-

CHARGE

BA, CA, AP

BA, RA

BA, AP

WRITE/WRITEAP

ACT

PRE/PALL

AREF/SREF

ILLEGAL¹¹

OPCODE

MRS

DSEL

NOP

BST

NOP-Enter IDLE after tRP

ILLEGAL⁴

ILLEGAL^4,10

BA, CA, AP

BA, RA

BA, AP

READ/READAP

WRITE/WRITEAP

ACT

PRE-

CHARGE

ILLEGAL^4,10

PRE/PALL

AREF/SREF

MRS

NOP-Enter IDLE after tRP

ILLEGAL¹¹

OPCODE

Rev. 1.0 / Feb. 2005

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