HY57V561620HT-8 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY57V561620HT-8
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内容描述：	[Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54]
分类和应用：	时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	13 页 / 173 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

HY57V561620H(L)T

VDD Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ

Minimum VDD clamp current

(Referenced to VDD)

VDD (V)

I(mA)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.6

0.0

0.23

1.34

3.02

5.06

7.35

9.83

12.48

15.30

18.31

Voltage

I (mA)

Minimum VSS clamp current

VSS Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ

VSS (V)

I (mA)

-3

-2.5

-2

-1.5

-1

-0.5

-2.6

-2.4

-2.2

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.9

-0.8

-0.7

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-57.23

-45.77

-38.26

-31.22

-24.58

-18.37

-12.56

-7.57

-3.37

-1.75

-0.58

-0.05

0.0

-10

-20

-30

-40

-50

-60

Voltage

I (mA)

0.0

Rev. 1.3/Nov. 01

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