HWS420
砷化镓DC - 6 GHz的双刀双掷开关
Sptember 2006年
V2
与驱动8pF典型性能数据
电容@ + 25°C
插入损耗与频率
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+34 dBm的@ + 3V
+6V
-40 °C至+ 85°C
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
插入损耗（dB ）
引脚输出（顶视图）
TX
RX
11
C
B
-1.2
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
频率（GHz ）
5.5
6.0
12
GND
10
VC1
C
B
隔离与频率
-5
ISO1
ISO2
VC2
1
9
8
7
4
5
6
VC4
GND
VC3
GND
2
3
-10
隔离度（dB ）
-15
GND
C
B
-20
-25
-30
-35
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
频率（GHz ）
5.5
6.0
ANT1
注： ISO1的ANT1 ， ANT2和TX -RX
ISO2为ANT1 -TX ， ANT1 -RX ， ANT2 -TX和ANT2 -RX
注意：
1.隔直流电容器ç
B
=驱动8pF要求所有
RF端口。
在底部2裸露焊盘必须被连接到
通孔地通过。
3. TX和RX端口可以互换使用。
回波损耗与频率
-10
-15
回波损耗（分贝）
-20
-25
-30
-35
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
频率（GHz ）
Hexawave公司
对于开关导通路径的逻辑表
VC1
1
0
0
0
VC2
0
1
0
0
VC3
0
0
1
0
VC4
0
0
0
1
在路径
ANT2-RX
ANT1-TX
ANT1-RX
ANT2-TX
' 1 ' = + 3V至+ 5V
“0”= 0V至+ 0.2V
2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
ANT2
C
B
HW [ HEXAWAVE, INC ]
