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HWS419 参数 Datasheet PDF下载

HWS419图片预览
型号: HWS419
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内容描述: 砷化镓的DC- 6 GHz的DP4T开关 [GaAs DC-6 GHz DP4T Switch]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 4 页 / 158 K
品牌: HW [ HEXAWAVE, INC ]
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HWS419
!
与驱动8pF典型性能数据
电容@ + 25°C
插入损耗与频率
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
频率(GHz )
5.5
6.0
1
16
15
14
13
12
11
10
9
5
6
7
8
B
B
B
!
2004年7月
V1
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+ 32dBm的@ + 3V
+6V
-40 °C至+ 85°C
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
插入损耗(dB )
引脚输出(顶视图)
隔离与频率
-10
-15
隔离度(dB )
-20
-25
-30
-35
-40
2.0
2.5
3.0
SPDT部分
DPDT部分
B
2
3
B
4
3.5 4.0 4.5 5.0
频率(GHz )
5.5
6.0
注意:
1.隔直流电容器CB =驱动8pF要求所有
RF端口。
在底部2裸露焊盘必须被连接到
通孔地通过。
回波损耗与频率
-5
-10
回波损耗(分贝)
-15
-20
-25
-30
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
频率(GHz )
对于开关导通路径的逻辑表
VC1
0
1
0
1
VC3
1
0
1
0
VC2
1
1
0
0
VC4
0
0
1
1
ANT1 ANT2
RF1
RF4
RF2
RF3
RF4
RF1
RF3
RF2
' 1 ' = + 3V至+ 5V
“0”= 0V至+ 0.2V
Hexawave公司
2繁荣路二,科技园区,新竹,台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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