HWS379 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HWS379
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内容描述：	砷化镓的DC- 6 GHz的DP4T开关 [GaAs DC-6 GHz DP4T Switch]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 113 K
品牌：	HW [ HEXAWAVE, INC ]

HWS379

砷化镓的DC- 6 GHz的DP4T开关

2005年9月

与驱动8pF典型性能数据

电容@ + 25 °

插入损耗与频率

-0.8

-1.0

-1.2

-1.4

-1.6

-1.8

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

绝对最大额定值

参数

RF输入功率

控制电压

工作温度

储存温度

绝对最大

+32 dBm的@ + 3V

+6V

-40 °C至+ 85°

-65 ℃至+ 150 ℃

插入损耗（dB ）

VC1

VC2

RF1

隔离与频率

-10

-15

SPDT部分

DPDT部分

ANT1

GND

RF2

GND

隔离度（dB ）

-20

-25

ANT2

GND

RF3

GND

VC3

-40

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

引脚输出（顶视图）

注意：

1.隔直流电容器ç

=驱动8pF需要在

所有RF端口。

回波损耗与频率

-5

-10

回波损耗（分贝）

在底部2裸露焊盘必须被连接到

通孔地通过。

对于开关导通路径的逻辑表

VC1

VC3 VC2

VC4

ANT1

RF1

RF3

RF2

RF4

ANT2

RF3

RF1

RF4

RF2

-15

-20

-25

-30

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

频率（GHz ）

' 1 ' = + 3V至+ 5V

“0”= 0V至+ 0.2V

Hexawave公司

2富强路II ，科学工业园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512

http://www.hw.com.tw

所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

RF4

-35

-30

VC4

GND

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