HWL32NPA
L波段的GaAs功率场效应管
2002年秋V1
特点
•
•
外形尺寸
塑料封装的GaAs功率场效应管
适用于商业无线
应用
高效率
3V操作
1
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
2
1
3
•
•
描述
该HWL32NPA是一个中等功率GaAs FET使用
表面贴装各种L波段式塑料封装
应用程序。它适用于各种900兆赫， 1900
兆赫蜂窝/无线应用。
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+7V
-5V
I
DSS
6毫安
150
°
C
-65到+150
°
C
2.8瓦
PA封装（ SOT- 89 ）
*安装在一个无限的散热器。
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 1900 MHz的所有RF测试
符号
I
DSS
V
P
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=55mA
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=550mA
热阻
输出功率在测试点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
单位
mA
V
mS
°
C / W
DBM
dB
%
分钟。
900
-3.5
400
-
27.5
-
-
典型值。
1100
-2.0
550
30
28.5
8.5
40.0
马克斯。
1500
-1.5
-
35
-
-
-
g
m
R
th
P
1dB
G
1dB
PAE
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