HWL26YC
L波段大功率场效应管导通孔芯片
2002年秋V1
特点
•
•
•
•
低成本砷化镓功率场效应管
A类或AB类操作
18分贝典型增益为2.4 GHz的
5V至10V工作
376
外形尺寸
451.5
1
描述
该HWL26YC是一个中等功率GaAs FET
设计用于各种L波段& S波段的应用程序。
226
226.0
2
76
4
绝对最大额定值
0
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
1mA
175
°
C
-65到+175
°
C
1.7W
0.0
3
75.5
275
440
524
*安装在一个无限大的散热器
单位：
µm
厚度： 50
±5
芯片尺寸
±50
焊盘1,3 （来源） ： 100× 100
焊盘2
（门） ： 100×100个
焊盘4
（漏） ： 100× 100
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 2.4 GHz的所有RF测试
符号
I
DSS
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
单位
mA
分钟。
150
典型值。
200
马克斯。
280
V
P
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=10mA
V
-3.5
-2.0
-1.5
g
m
P
1dB
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=100mA
输出功率在测试点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
mS
-
120
-
DBM
25
26
-
G
1dB
dB
16
17
-
PAE
%
35
42
-
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