HWL23NPB
L波段的GaAs功率场效应管
2002年秋V1
特点
•
•
•
•
塑料封装的GaAs功率场效应管
适用于商业无线
应用
高效率
3V至6V工作
外形尺寸
1
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
描述
该HWL23NPB是一个中等功率GaAs FET
采用表面贴装型塑料封装
各个L波段的应用程序。它适合于
各种900兆赫， 1900兆赫蜂窝/无线
应用程序。
2
3
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+7V
-5V
I
DSS
1mA
150
°
C
-65到+150
°
C
0.7瓦
PB封装（ SOT -23 ）
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 1900 MHz的所有RF测试
符号
I
DSS
V
P
gm
R
th
P
1dB
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=5V, V
GS
=0V
夹断电压在V
DS
= 5V ，我
D
=5.5mA
跨在V
DS
= 5V ，我
D
=55mA
热阻
输出功率在测试点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5I
DSS
单位
mA
V
mS
°
C / W
DBM
分钟。
90
-3.5
-
-
16.5
19.5
典型值。
110
-2.0
60
200
17.5
21.0
13.0
14.0
-
-
35.0
45.0
马克斯。
-
-1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
G
1dB
dB
PAE
%
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