HWF1686RA
L波段的GaAs功率场效应管
2005年6月
V3
外形尺寸
特点
•
输出功率：
P
1dB
= 30 dBm的（典型值）。
•
高增益：
GL = 16分贝（典型值）。
•
高效率：
PAE = 45 ％ （典型值）。
•
高线性度：
IP3 = 45 dBm的（典型值）。
•
低成本
描述
该HWF1686RA是一个中等功率的GaAs
MESFET专为各种射频和微波
应用程序。它是在一个较低的成本目前提供的，
表面安装的陶瓷封装。
绝对最大额定值
V
DS
[1]
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
2毫安
175
°
C
-65到+175
°
C
3.5 W
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
[1]
[2]
RA封装（陶瓷）
Hexawave建议该静态
漏源工作电压（V
DS
）不应该
超过10伏。
[2]安装在一个无限的散热器。
在25电气规格
°
C
符号
I
DSS
V
P
参数
饱和漏极电流
捏-O FF电压
跨
热阻
输出功率@ 1分贝增益
线性功率增益
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
三阶截取点
[3]
条件
V
DS
=3V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ，我
DS
= 20毫安
V
DS
= 3V ，我
DS
± 200毫安
渠道情况
V
DS
=10V
I
DS
=0.5I
DSS
F = 2.4 GHz的
单位
mA
V
mS
°
C / W
DBM
dB
%
DBM
分钟。
300
-3.5
-
-
29.0
15
-
-
典型值。
400
-2.0
200
30
30.0
16
45
45
马克斯。
600
-1.5
-
40
-
-
-
-
g
m
R
th
P
1dB
G
L
PAE
IP
3
[ 3 ]单载波电平15dBm时， 1 MHz的除了2色调，与当前调整以获得最佳的IP
3
Hexawave公司
2富强路II ，科学工业园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
HW [ HEXAWAVE, INC ]
