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HWF1681RA 参数 Datasheet PDF下载

HWF1681RA图片预览
型号: HWF1681RA
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内容描述: L波段的GaAs功率场效应管 [L-Band GaAs Power FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 145 K
品牌: HW [ HEXAWAVE, INC ]
 浏览型号HWF1681RA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HWF1681RA的Datasheet PDF文件第3页  
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Hexawave公司
[ 3 ]单载波电平15dBm时, ​​1 MHz的除了2色调,与当前调整以获得最佳的IP
3
符号
电气规格25
°
SD
V
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IP
3
PAE
G
L
P
1dB
R
th
g
m
V
P
I
DSS
饱和漏极电流
功率附加效率(P
OUT
= P
1dB
)
线性功率增益
捏-O FF电压
输出功率@ 1 dB增益
三阶截取点
热阻
2富强路II ,科学工业园区,新竹,台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
参数
[3]
°
°
V
DS
= 3V ,我
DS
± 60毫安
V
DS
=3V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ,我
DS
= 600毫安
渠道情况
V
DS
=10V
I
DS
=0.5I
DSS
条件
F = 2.4 GHz的
RA封装(陶瓷)
单位
°
C / W
DBM
DBM
mS
mA
dB
%
V
L波段的GaAs功率场效应管
分钟。
33.5
-3.5
900
14
-
-
-
-
HWF1681RA
2005年6月
1200
典型值。
34.5
-2.0
600
15
48
43
9
马克斯。
1600
-1.5
V3
12
-
-
-
-
-
] 1[
HC
T
G
I
D
I
SG
V