HWC30NC
C波段功率FET非导通孔芯片
2002年秋V1
S- MAGN和角度
V
DS
= 10V ，我
DS
=0.5I
DSS
（千兆赫）
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
8.50
9.00
9.50
10.00
lS11l
0.838
0.839
0.842
0.843
0.843
0.842
0.842
0.843
0.845
0.846
0.849
0.848
0.849
0.850
0.848
0.846
0.843
∠
昂
-136.22
-144.63
-150.68
-154.74
-158.40
-161.14
-163.41
-165.18
-166.48
-167.39
-168.13
-169.26
-170.64
-171.65
-172.62
-173.36
-173.73
lS21l
4.344
3.525
2.954
2.526
2.208
1.958
1.755
1.597
1.461
1.348
1.249
1.162
1.087
1.027
0.969
0.921
0.873
∠
昂
92.80
85.70
79.70
74.29
69.51
65.26
61.58
58.03
54.54
51.38
48.23
45.29
42.69
40.04
37.10
34.79
32.10
lS12l
0.031
0.035
0.042
0.048
0.053
0.060
0.066
0.073
0.079
0.088
0.096
0.105
0.114
0.124
0.135
0.146
0.159
∠
昂
72.10
73.09
77.67
79.88
80.80
82.79
84.42
86.57
87.77
88.74
90.30
90.46
91.53
91.74
91.96
92.12
91.95
lS22l
0.187
0.209
0.238
0.267
0.293
0.324
0.350
0.367
0.385
0.401
0.423
0.441
0.466
0.491
0.510
0.519
0.533
∠
昂
-97.86
-100.53
-103.32
-104.43
-106.47
-109.01
-110.46
-112.47
-114.54
-116.11
-118.03
-119.90
-122.08
-123.44
-126.11
-127.98
-131.95
结合方式
栅极，漏极焊盘： 1线各垫
来源垫： 2根，每边
Hexawave公司2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾， ROC 。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
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