HWC27YC
C波段大功率场效应管导通孔芯片
2002年秋
V1
特点
•
•
•
•
外形尺寸
650
低成本砷化镓功率场效应管
A类或AB类操作
18分贝典型增益为2.4GHz
5V至10V工作
来源
435
1
3
描述
该HWC27YC是一个中等功率GaAs FET
专为各种射频和微波
应用程序。
215
2
4
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
来源
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
2mA
175
°
C
-65到+175
°
C
3.5W
0.0
0.0 58.5
344.5 400
单位：
µm
厚度： 50
±
5
芯片尺寸
±
50
邦德片1-2 （门） ：
键垫3-4（漏极） ：
60 x 60
60 x 60
*安装在一个无限大的散热器
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 2.4 GHz的所有RF测试
符号
I
DSS
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
单位
mA
分钟。
300
典型值。
400
马克斯。
600
V
P
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=20mA
V
-3.5
-2.0
-1.5
g
m
P
1dB
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=200mA
输出功率在测试点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
mS
-
250
-
DBM
27
28
-
G
1dB
dB
16
17
-
PAE
%
-
40
-
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