高功率HVV1214-075装置是
高
高功率HVV1011-040装置是
高
HVV1214-075
针对L波段脉冲航空电子应用
描述
包
高压硅增强型RF晶体管
高压硅增强型的RFI高
晶体管
高的频率范围内，从
功率HVV1011-040设备
操作
对于L波段脉冲雷达应用
L波段雷达脉冲功率晶体管
描述
L波段脉冲航空电子应用
包
设计
为
设计
电压1090MHz本。
高功率HVV1011-035设备是一个高电压
1030MHz硅增强型RF晶体管
操作过
频率范围从
从
操作过
的频率范围内
1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
针对L波段脉冲航空电子应用
硅增强模式
装置是一个高
1.2GHz的到
HVV1011-040
RF晶体管设计
高功率
1.4GHz.
频率范围从
1030MHz至1090MHz本。
操作过的
L波段的脉冲
1090MHz.
voltage1030MHz到
操作过航空电子应用
硅增强型RF晶体管
特点
针对L波段脉冲航空电子应用
该
特点
从1030MHz到1090MHz本。
频带
特点
工作在频率范围从
该装置位于一个表面贴装封装
•
高功率增益
1030MHz至1090MHz本。
特点
耐用性
描述
收益
用陶瓷盖。该SM200包装风格
•
高功率
优秀
该装置位于
•
高功率增益
特点
耐用性
包
总漏一个表面贴装封装
合格
测试 - MIL -STD- 883 ，
•
优秀
48V电源电压
用陶瓷盖。该SM200贴装封装
•
优秀
该装置位于一个表面包款式
•
48V电源
耐用性
装置是一个高
高功率增益
方法1014 。
该
高
功率HVV1214-075
•
高
48V电源电压
特点
功率增益
电压
合格总值的SM200包装样式
•
用陶瓷盖。泄漏测试 - MIL- STD-883标准，是
•
硅增强型RF晶体管
出色的耐用性
电压
绝对
电源电压
评级
最大
•
出色的耐用性
对严重泄漏测试方法 - MIL -STD- 883 ，
qualified1014.
•
48V
设计用于L波段脉冲雷达应用
绝对
收益
最大额定值
从
该装置位于一个表面贴装封装
•
高功率
电压
•
48V电源
方法1014 。
绝对
的频率范围内
操作过
最大额定值
耐用性
该设备驻留在
SM200包装风格
同
用陶瓷盖。该
表面贴装封装
•
出色的耐用性
1.2GHz的到
参数
1.4GHz.
该设备驻留在法兰的两铅金属
绝对最大额定值
单位
价值
•
SymbolSupply电压
48V
a
合格
耐用性
- MIL -STD- 883 ，
该
为
陶瓷的
为毛
SM200
液晶聚合物盖子。
盖子。该
泄漏测试
封装形式为合格
包带液体
装置能够
绝对最大
105
符号
漏源电压
评级
单位
参数
价值
该HVV1011-040
V
DSS
V
方法1014 。
MIL -STD -883方法1014 。
总泄漏
耐用性
合格的总泄漏
①测试
符号参数
价值
单位
HV400包装风格
负载不匹配
V
漏源电压
10
105
承受输出
V
特点
栅源电压
V
V
GS
DSS
该
MIL- STD- 750D ，方法1071.6 ，
绝对最大额定值
10
V
DSS
漏源电压105
V
①测试
HVV1011-040装置能够
TEST
符号漏电流
电压
2 A值
V
参数
单位
对应于一20 ： 1的VSWR在所有相
V
栅极 - 源
I
DSX
GS
承受的输出负载能力
V
栅极 - 源
10
V
条件C.
额定输出功率和工作
该HVV1011-040
是不匹配
2
95
V
GS
漏源电压
105
V
角度和
8
A
DSX
P
D
I
DSS
HighDrain电流
电压116
功耗
W
耐用性
到deviceVSWR了相
功率增益
相应的输出负载不匹配
20:1
所有
I
DSX
漏电流
2
A
承受
V
GS
2
栅源电压
10〜
V
两端的电压的频率波段操作。
功耗
250
W
T
S
P
D
参数
耐用性
存储温度-65机组℃，
角度和额定输出VSWR和所有相
SymbolP
D2
优秀
耗散
值116
耐用性
一个20 ： 1的功率overoperating
动力
温度
2
to
W
相应
I
T
S
漏电流
A
StorageVoltage
-65
°C
耐用性
能够
DSX
+200
供应
该HVV1011-040额定输出功率和运转。
两端的电压
V
DSS
漏源温度-65〜
V
2
T
S
1,2
48V
电源电压105
存储
°C
角度和设备频段工作
+200
116
W
T
J
P
D
栅源电压
JunctionDissipation
200 V
°C
符号
单位
该HVV1011-035
参数
工作频带。
设备能够经受一个的
承受的输出负载
测试条件最大值
不匹配
V
GS
10
+200
两端的电压
1
T
连接点
°C
T
S
J
储存温度
200
to
-65
°C
F = 1090
VSWR
温度
该
LMT
对应不匹配
相
对应于一
负载
20:1
DEVICE IS
兆赫
20:1
输出负载
HVV1214-075
VSWR在所有
能
VSWR
单位
a
20:1
of
at
I
DSX
绝对最大
2
A
T
J
漏电流
连接点
200
°C
符号
参数测试条件最大
评级
温度
+200
不匹配
产量
和操作
承受
负载不匹配
角度和额定输出
产量
1090兆赫
操作
P
D2
功耗
116
W
所有相位角和
an
动力
=
电源和
20 ： 1 VSWR
评级
LMT
1
负载
F
温度
公差
T
J
连接点
200
°C
符号
参数
两引线metalall
最大
测试条件
法兰连接
单位
相应
频率
在一个
相
该设备residesa 20:1
两端的电压
不匹配
驻波比过
操作。
T
S
存储
特征
两端的电压
1
该
额定输出
指环
和盖子。
20 ： 1 VSWR
热
温度-65〜 ° Ç
LMT
同
频带
聚合物操作系统
负载
水晶
=
操作
该
F
1090兆赫
温度
角
动力
packageand液
公差
符号参数
单位
+200
价值
不匹配
整个频带的电压
HV400包装风格是合格的总泄漏
热特性
V
V
DSS
漏源电压105
°C
T
J
连接点
200
符号
参数测试条件最大
单位
公差
热特性
单位
操作。
测试 - MIL -STD- 750D ，方法1071.6 ，
VSWR
TEST
1
热
特征
V
特征
V
GS
栅源电压
最大
10
符号参数
LMT
负载
F = 1090 MHz的20 ： 1
1060MHz
温度
热
条件C.
符号
不匹配
参数
测试条件
最大
单位
I
DSX
漏电流
8
A
热阻
1.5
° C / W
符号参数
最大
单位
符号功率耗散
参数
单位
2
LMT
1
负载
P
OUT
= 75W
20:1
VSWR
公差
P
D 1
250
W
热阻
1.5
° C / W
不匹配
热阻
0.70
° C / W
JC
热特性
-65〜 ° Ç
符号
储存温度
参数
最大
单位
T
S
F
耐用性
= 1400MHz的
公差
电气特性
° C / W
热阻
1.5
+200
电动
特征
°C
特征
T
J
连接点
200
该HVV1214-075装置能够
符号
电动
参数
最大
单位
电气特性
温度
承受的输出负载失配
热阻
1.5
° C / W
电气特性
符号
参数
条件
典型值
单位
对应于一20 ： 1的VSWR在所有相
102
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
条件
VGS=0V,ID=1mA
110
单位
V
符号
参数
典型值
角
2mA
和
符号
参数
条件
并在额定输出功率
典型值
操作
单位
<25
I
DSS
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10
电气特性
在整个电压110
frequencyV带
!A
of
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
110
V
符号
参数
条件
典型值
I
GSS
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
!A
单位
操作。
I
DSS
VGS=0V,VDS=48V
<10
<1
µA
热
漏极漏电流
特征
I
1
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10
!A
DSS
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
V
GV
BR （ DSS ）
动力
P
OUT
=35W,F=1060MHz
测试条件
110
最大
20
µA
dB
P
I
GSS
门
门增益
当前
泄漏
VGS=5V,VDS=0V
<1
符号参数
单位
I
1
VGS=5V,VDS=0V
<1
!A
I
GSS
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10
!A
IRL
1
输入漏电流
P
OUT
=35W,F=1060MHz
dB
符号ParameterGain
最大
单位= 75W ， F = 1200MHz的， 1400MHz的
P
OUT
=
21
LMT
1
负载
75W
8 20
dB
单位
VSWR
20:1
G
P
DSS
动力
P
OUT
条件= 35W ， F = 1060MHz
SymbolG
P1
参数回波损耗
典型值
功率增益
P
OUT
dB
1
I
GSS
栅极泄漏
VGS=5V,VDS=0V
<1
!A
漏EF网络效率
P
OUT
=35W,F=1060MHz
%
热阻
当前
° C / W
IRL
1
输入回波损耗0.70
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
F = 1400MHz的
52
dB
V
9
110
V
BR （ DSS ）
JC
11 1
漏源回波损耗
击穿
VGS=0V,ID=1mA
不匹配
IRL
输入
P
OUT
=35W,F=1060MHz
8
dB
G
P
功率增益
P
OUT
=35W,F=1060MHz
20
dB
1
公差
P
OUT
=35W,F=1060MHz
dB
漏EF网络效率
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
44
%
I
DSS
PD
1
漏脉冲下垂
漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10 <0.2
!A
D
漏EF网络效率
P
OUT
=35W,F=1060MHz
52
%
IRL
输入回波损耗
P
OUT
=35W,F=1060MHz
8
dB
1
脉冲下垂
当前
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
<0.6
dB
!A
I
GSS 1
PD
1
门LeakageDroop
VGS=5V,VDS=0V
<1
PD
脉冲
P
OUT
=35W,F=1060MHz
<0.2
dB
漏EF网络效率
P
OUT
=35W,F=1060MHz
52
%
脉冲条件下的脉冲下， 35W的输出功率测量的所有参数
15mA
与
条件：
电气特性
G
P1
1
下
1
脉冲
功率增益
脉冲宽度= 50微秒，脉冲占空比=在VDD = 48V 5 ％ ， IDQ =
conditionsdB
P
OUT
=35W,F=1060MHz
20
PD
P
占空比= 10 ％
宽带匹配
=
脉冲widthInput脉冲下垂
= 50 ！秒，占空比为5 ％和VDDP = 48V ，
OUT
=35W,F=1060MHz
VDD
8
48V,
<0.2测试夹具。
2
1 ）根据脉冲
回波损耗
200µsec,
=35W,F=1060MHz
at
=
IDQ
dBwith分贝
1
IRL
1
额定功率为TCASE =
条件：脉冲宽度=
条件
脉冲
IDQ = 15毫安在aunder脉冲条件
50mA
该
25°C
OUT
以35W输出功率
2
在脉冲测量所有参数
额定在T
例
25°C
2 ）额定在T
= =效率
例
漏
= 25°C
P
OUT
52
1
脉冲
50!sec,
符号
宽度
参数
占空比脉冲和VDD = = 35W ， F = 1060MHz下脉冲匹配％与
条件
48V ， IDQ = 15毫安
典型值
单位
测试夹具。
下= 5 ％条件下，在35W输出功率的宽带条件下测得的所有参数
1
2
PD
V
脉冲宽度
例
下垂的占空比= 5％， VDD = = 35W ， F = 1060MHz的宽带matcheddB夹具。
P
OUT
48V ， IDQ
<0.2
额定功率为Pulse50 ！秒，
T
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
= 15毫安
110
V
= = 25°C
TEST
BR （ DSS ）
2
I
DSS
漏
25°C
VGS=0V,VDS=48V
<10
µA
额定在T
例
=
漏电流
1
所有参数测量
公司
下
当前
以35W的输出条件
访问：
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同的条件
脉冲
有关其他信息，
在脉冲功率
<1
I
GSS
栅极泄漏
VGS=5V,VDS=0V
µA
HVVi半导体，
EG-01-PO01X1
为
48V ， IDQ = 15毫安在
HVVi半导体，
收益
公司
脉冲宽度= 50 ！秒，占空比为5 ％和VDD
P
附加信息：
宽带匹配的测试夹具。
=
=75W,F=1200MHz,1400MHz
st
G
P1
半导体，
100
动力
公司
21
dB
EG-01-PO01X6
OUT
10235 S. 51街套房
HVVi半导体公司机密
5/09/08
2
EG-01-PO08X1
HVVi
S.
半导体，
有关其他信息，
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为
429 - HVVi （ 4884 ）或
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EG-01-PO01X1
评级
HVVi
第51届圣
输入
100
公司
损失
联系电话： （ 866 ）
更多信息，请访问：
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9
at
25°C
10/13/08
10235
T
例
st
85044
回报
IRL
1
S. 51
=
圣
套房
100
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
dB
亚利桑那州凤凰城。
st
套房
© 2008
HVVi半导体公司机密
版权所有。
HVVi半导体公司版权所有
5/23/08
1
10235
南51街100套房
1
10235
5/09/08
HVVi半导体公司
访问：保密
1
PHOENIX ，
半导体公司
HVVi
AZ 。 85044
其他信息，公司
www.hvvi.com
44
EG-01-PO01X1
漏EF网络效率
© 2008
对于HVVi半导体，
版权所有。
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
%
D
亚利桑那州凤凰城。 85044
© 2008 HVVi半导体公司所有
版权所有。
版权所有。
1
st
85044
凤凰城， 51
脉冲下垂
© 2008 HVVi半导体公司机密
1
10235 S. A-Z。圣套房100
HVVi半导体公司
5/09/08
PD
1
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
<0.6
dB
描述
描述
描述
包
包
高功率HVV1011-040设备是
为TCAS与S模式的应用
高
描述
包
高压硅增强型RF晶体管
HVV1011-040
HVV1214-075
脉冲功率晶体管
L波段航空电子设备
HVV1011-040
创新的半导体公司！
脉冲功率晶体管
HVV1011-040
脉冲功率职务
L波段雷达
1030-1090MHz ， 50 ！ s脉冲， 5％的晶体管
L波段航空电子设备
L波段
兆赫，为200μs
功率晶体管
1200-1400
航空电子50 ！ s
脉冲， 10 ％占空比
1030-1090MHz ，脉冲
HVV1011-035产品概述
脉冲， 5 ％税
HVV1011-040
1030-1090MHz ， 50 ！ s脉冲， 5 ％税
L波段航空电子脉冲功率晶体管
L波段航空电子脉冲功率晶体管
包
1030-1090MHz ， 50 ！ s脉冲， 5 ％税
1030-1090MHz ， 50μs的脉冲， 5 ％税
TM
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
该
nnovative半导体公司！
i
nnovative半导体公司！
该
i
i
nnovative半导体公司！
Pr
礼
m
亚利桑那州凤凰城。 85044
HVVi半导体公司
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in
ar
y
EG-01-PO01X1
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HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
