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HVV0405-175 参数 Datasheet PDF下载

HVV0405-175图片预览
型号: HVV0405-175
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内容描述: UHF脉冲功率晶体管400-500兆赫, 300μS脉冲, 10 %占空比的UHF频段,天气和远程雷达应用 [UHF Pulsed Power Transistor 400-500 MHz, 300μs Pulse, 10% Duty Cycle For UHF band, Weather and Long Range Radar Applications]
分类和应用: 晶体晶体管脉冲雷达
文件页数/大小: 5 页 / 837 K
品牌: HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
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创新的半导体公司!
HVV0405-175高电压,高耐用性
TM
UHF脉冲功率晶体管
400-500兆赫, 300μS脉冲,占空比为10%
对于UHF频段,天气和远程雷达应用
特点
• MOSFET硅技术
•操作从24V到50V
•高功率增益
•超强的坚固
•内部输入匹配
•优良的热稳定性
•所有金键合方案
典型性能
高电压垂直的技术非常适用于在超高频高功率脉冲的应用
乐队包括天气和远程雷达应用。
模式
CLASS AB
频率
(兆赫)
VDD
(V)
IDQ
(MA )
动力
(W)
收益
( dB)的
效率
(%)
IRL
( dB)的
450
50
50
175
25
55
20:1
表1:
在25℃温度下,在宽带文本夹具典型的RF性能
脉冲宽度= 300μS和脉冲周期= 3ms的射频脉冲条件。
描述
高功率HVV0405-175设备是专为增强型射频MOSFET功率晶体管
脉冲应用在UHF波段从420MHz到为480MHz 。高压HVVFET ™技术
生产超过脉冲的输出功率175W ,同时提供高增益,高效率,以及易于匹配的
与50 V电源。垂直器件结构保证了高可靠性和耐用性的设备是
指定要承受20 :在全额定输出功率1 VSWR所有相位角。
订购信息
设备型号: HVV0405-175
演示套件型号: HVV0405-175 -EK
可通过理察森电子( http://rfwireless.rell.com/ )
HVVi半导体公司
10235 S.第51街100套房
亚利桑那州凤凰城。 85044
ISO 9001:2000认证
联系电话: ( 866 ) 429 - HVVi ( 4884 ) ,或浏览www.hvvi.com
©2008 HVVi半导体, Inc.保留所有权利。
EG-01-DS10A
12/11/08
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