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KSH13007F 参数 Datasheet PDF下载

KSH13007F图片预览
型号: KSH13007F
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 126 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
NPN硅晶体管
KSH13007F
█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION
高速开关
适用于开关稳压器和Montor控制
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 40W
V
CBO
--Collector -基地
电压700V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压400V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压9V
I
C
--Collector
当前
(DC)的
…………………………………
8A
I
CP
--Collector
电流脉冲) ................................. 16A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………4A
TO-220F
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
█ 电参数
(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
EBO
H
FE
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
400
1
10
5
40
30
1
2
3
V
mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=2A
V
CE
= 5V ,我
C
=5A
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
V
V
V
V
V
pF
兆赫
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 8A ,我
B
=2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
I
C
= 5A ,我
B
=1A
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A
V
CC
= 125V ,我
C
=5A,
I
B1
=-I
B2
=1A
RL=50Ω
V
BE ( SAT )
基地 - 发射极饱和电压
1.2
1.6
COB
f
T
t
ON
t
S
t
F
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
4
110
1.6
3
0.7
μs
μs
μs
h
FE
分类: H1
(10--16)
H2
(14--21)
H3
(19--26)
H4
(24--31)
H5
(29--40)