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HX3906 参数 Datasheet PDF下载

HX3906图片预览
型号: HX3906
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 241 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
PN P S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
小信号放大器
高¡
高频振荡器;开关应用。
(补充H3904 )
HX3906
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-40V
V
E B Ø
--Emit
之三 - 基极电压-5V ....................................
I
C
--Collector
Current………………………………………-200mA
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,C
TO-92S
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
f
T
-40 
-40 
-5 
 
 
70 
 
 
300 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
-0.1 
-0.1 
350 
-0.25 
-0.85 
 
 
V 
V 
V 
μA 
μA 
 
V 
V 
MH�½� 
=-100μA,I
=0 
=-10�½�A,I
=0 
=-10μA,I
=0 
CB
=-30V, I
=0 
EB
=-5V, I
=0 
CE
=-1V, I
=-10�½�A 
=-10�½�A, I
=-1�½�A 
=-10�½�A, I
=-1�½�A 
CE
=-20V, I
=-10�½�A  
�½�=100MH�½� 
h
FE
分类
A     
70—240
 
          B 
220—350