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HX1267 参数 Datasheet PDF下载

HX1267图片预览
型号: HX1267
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 517 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HX1267的Datasheet PDF文件第2页  
PN P S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
开关应用。
HX1267
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
E B Ø
--Emit
之三 - 基极电压-5V ....................................
I
C
--Collector
Current………………………………………-150mA
I
E
--Emitte
目前............................................. 150毫安
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-92S
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
I
EBO
I
CBO
H
FE
 
f
T
COB
NF
发射极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
 
 
 
70 
80 
 
 
 
 
 
 
4.0 
1.0 
-0.1  μA 
V
EB
= -5V ,我
C
=0
-0.1  μA 
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V 
 
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA 
V
CE
= -6V ,我
C
=-2mA 
400 
 
7.0 
10 
V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
-0.1  -0.3 
MH½ 
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
½F 
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MH½
V = -6V ,我
C
=-0.1mA
½B 
CE
f=1KHz,Rg=10KΩ
█ h
FE
分类
O
 
70—140
Y
120—240
GR
200—400