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HTF4A60S 参数 Datasheet PDF下载

HTF4A60S图片预览
型号: HTF4A60S
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内容描述: 非绝缘型敏感门双向可控硅( TO- 220F封装) [NON INSULATED TYPE SENSITIVE GATE TRIAC (TO-220F PACKAGE)]
分类和应用: 可控硅三端双向交流开关
文件页数/大小: 4 页 / 178 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
 
电气特性
(T
a
=25℃)
HTF4A60S
符号
I
DRM
重复峰值断态电流
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
单位
mA
条件
V
D
=V
DRM
,单相,
半波,
T
J
=125℃
I
T
= 6A,研究所。测量
V
TM
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
I+
GT3
V+
GT1
V-
GT1
V-
GT3
V+
GT3
V
GD
( dv / dt的)C
峰值通态电压
门极触发电流( Ⅰ )
门极触发电流( Ⅰ )
门极触发电流( Ⅰ )
门极触发电流( Ⅰ )
门极触发电压( Ⅰ )
门极触发电压( Ⅰ )
门极触发电压( Ⅰ )
门极触发电压( Ⅰ )
非触发栅极电压
崛起的断态临界速率
电压整流
保持电流
热阻
0.2
5
1.6
5.0
5.0
5.0
10.0
1.4
1.4
1.4
1.8
V
毫安V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V / μs的
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
T
J
=125℃,V
D
=1/2V
DRM
T
J
=125℃,V
D
=2/3V
DRM
( di / dt的)C = -0.5A / MS
I
H
RTH (J -C )
10
3
mA
℃/W
结到外壳