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HSBD438 参数 Datasheet PDF下载

HSBD438图片预览
型号: HSBD438
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 121 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
PN P S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD438
■应用
中功率线性开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 36W
V
CBO
--Collector -基地
电压................................. -45V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -45V
V
CES
--Collector发射极
电压.............................. -45V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压-5V
I
C
--Collector
当前
(脉冲)
…………………………………
-7A
I
C
--Collector
直流(DC) ....................................... -4A
I
B
内部BASE
Current………………………………………………-1A
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*h
FE(2)
*h
FE(2)
*V
CE(
SAT
)
*V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
-45
3
兆赫
特征
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
30
85
40
-0.2
-0.6
-1.2
V
V
140
140
典型值
最大
-100
-1
单位
μA
mA
测试条件
V
CB
= -45V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-2A
IC = -2A ,我
B
=-0.2A
IC = -2A ,V
CE
=-1V
Ic=-100mA,I
B
=0
IC = -250mA ,V
CE
=-1V
电流增益带宽积
*
脉冲测试: PW = 300μS ,占空比= 1.5 %脉冲