汕头华汕电子器件有限公司。
PNP达林顿晶体管
HP147T
█
应用
高直流电流增益
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 80W
V
CBO
--Collector -基地
电压.............................. -100V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... -100V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压-5V
I
C
--Collector
目前DC ）
（
………………………………
-10A
I
B
内部BASE
Current…………………………………………-0.5A
TO-220
1―
基地B
2―Collector，C
3发射极，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
H
FE（1）
H
FE（2）
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
t
D
t
R
t
S
t
F
-100
-2
-1
-2
1000
500
-2
-3
-3.5
-3
0.15
0.55
2.5
2.5
V
mA
mA
mA
I
C
= -30mA ，我
B
=0
V
CE
= -50V ，我
B
=0
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -4V ，我
C
=-5A
V
CE
= -4V ，我
C
=-10A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
Deiay时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
V
V
V
uS
uS
uS
uS
I
C
= -5A ，我
B
=-10mA
I
C
= -10A ，我
B
=-40mA
I
C
= -10A ，我
B
=-40mA
V
CE
=-4V,I
C
=-10A,
Vcc=-30V,Ic=-5A
I
B1
=-20mA
I
B2
=20mA
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