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HP142TSW 参数 Datasheet PDF下载

HP142TSW图片预览
型号: HP142TSW
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 79 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
NPN达林顿晶体管
HP142TSW
ⅳ.APPLICATIONS :
高直流电流增益
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 70W
V
CBO
--Collector -基地
电压100V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压100V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 8A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………0.5A
TO-263
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
 
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CEO ( SUS )
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
 
H
FE(1)
 
H
FE(2)
V
CE(sat1)
 
V
CE(sat2)
V
BE (
SAT
)
 
V
BE(上)
t
D
t
R
t
S
t
F
100 
 
 
 
1000 
1000 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
0.15 
0.55 
2.5 
2.5 
 
2 
1 
2 
 
 
2 
3 
3.5 
3 
 
 
 
 
V 
�½�A 
�½�A 
�½�A 
 
 
V 
V 
V 
V 
�½�S 
�½�S 
�½�S 
�½�S 
I
C
= 30mA时我
B
=0 
V
CE
= 50V ,我
B
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0 
V
CE
= 4V ,我
C
=0.5A 
V
CE
= 4V ,我
C
=3A
I
C
= 5A ,我
B
=10mA 
I
C
= 10A ,我
B
=40mA
I
C
= 10A ,我
B
=40mA 
V
CE
=4V,I
C
=10A, 
Vcc=30V,Ic=5A
I
B1=
20mA
I
B2
=-20mA
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
Deiay时间
上升时间
贮存时间
下降时间