NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
NPN外延达林顿晶体管。高直流电流增益。
单片式结构，具有内置基射极分流电阻。
HP122W
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………65W
P
C
--Collector
Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………100V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………100V
V
E B Ø
——
发射极 - 基极电压.................................... 5 V
I
C
--Collector
Current（DC）………………………………………5A
I
C
--Collector
Current（Pulse）……………………………………8A
IB - 基极电流...................................................... 120毫安
TO-263
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
H
FE
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
*直流电流增益
最小典型最大单位
１００
１００
１０００
２．０
４．０
２．５
０．５
０．２
２．０
２００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
测试条件
I
C
=1mA,
I
C
=5mA,
I =0
E
I =0
B
V
CE
= 3V ，我
C
=0.5A
I
C
= 3A ，我
B
=12mA
I
C
= 3A ，我
B
=20mA
V
CE
= 3V ，我
C
=3A
V
CE(sat1)
*集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
*集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
COB
*基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
输出电容
�½�Ａ
V
CB
= 50V ，我
B
=0
�½�Ａ
V
CB
= 100V ，我
E
=0
�½�Ａ
V
EB
= 5V ，我
C
=0
�½�Ｆ
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=0.1ＭＨ�½�
*
Pulse Test：PW≤300μ�½�，Ｄ�½��½��½� �½��½��½��½��½�≤2%
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
