NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HP122
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应用
NPN外延达林顿晶体管。高直流电流增益。
单片式结构，具有内置基射极分流电阻。
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………65W
P
C
--Collector
Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………100V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………100V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current（DC）………………………………………5A
I
C
--Collector
Current（Pulse）……………………………………8A
IB - 基极电流...................................................... 120毫安
TO-220
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
H
FE
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
*直流电流增益
民
100
100
1000
2.0
4.0
2.5
0.5
0.2
2.0
200
cycle≤2%
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
测试条件
I
C
=1mA,
I
C
=5mA,
I
E
=0
I
B
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=0.5A
I
C
= 3A ，我
B
=12mA
I
C
= 3A ，我
B
=20mA
V
CE
= 3V ，我
C
=3A
V
CB
= 50V ，我
B
=0
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=0.1MHz
V
CE(sat1)
*集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
*集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
*基射极电压上
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
COB
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
输出电容
*
脉冲测试： PW≤300μs ，职务
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
