NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
通用和开关应用。
HM28S
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissip通报BULLETIN ....................................... 850MW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………20V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 6V
I
C
--Collector
Current………………………………………1.25A
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
H
FE(3)
H
FE(4)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
I
CES
４０
２０
６
３００
３００
３１０
３０３��
１０００
０．５５
１．２
１００
１００
１００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=300mA
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
I
C
= 600毫安，我
B
=20mA
I
C
= 600毫安，我
B
=20mA
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
辐射源
截止电流
集电极截止电流
�½�Ａ
V
CB
= 35V ，我
E
=0
�½�Ａ
V
EB
= 6V ，我
C
=0
�½�Ａ
V
CE
=20V, V
EB
=0
█
h
FE
分类
B
３００—６００
C
５００—８００
D
７００—１０００
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
