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HFP640 参数 Datasheet PDF下载

HFP640图片预览
型号: HFP640
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 357 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
HFP640
电气特性
(Ta=25
除非另有规定编)
符号
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏
2.0
4.3
1700
230
60
50
300
300
230
45
6.5
22
18
72
1.5
58
200
25
250
±
100
4.0
0.18
V
µA
µA
nA
V
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=160V, V
GS
=0V,Tj=125
V
GS
=
±
20V , V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
= 10V ,我
D
=9A
V
DS
= 40V ,我
D
=9A
(注1 )
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
西塞
科斯
CRSS
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
S
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
A
A
V
动态特性和开关特性
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
t
D(上)
tr
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DD
= 100 V,I
D
= 18Apk
R
G
= 25
(注1,2 )
V
DS
=0.8V
DSS
ID = 18A,
V
GS
= 10 V
(注1,2 )
漏源二极管特性及最大额定值
连续源极 - 漏极二极管
I
S
正向电流
脉冲
漏源
二极管
I
SM
正向电流
源极 - 漏极二极管正向
V
SD
导通电压
注意事项:
1.脉冲测试:脉冲width≤300μS ,职务
cycle≤2%
2.基本上是独立工作温度
I
S
=18A,V
GS
=0