汕头华汕电子器件有限公司。
N沟道MOSFET
HFP630
█ APPLICATIONSL
高压高速开关。
TO-220
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
Temperature……………………………－55~150℃
T
j
■工作
结温
……………………���…150℃
P
D
——
允许功耗（T
c
=25℃）…………………72W
V
DSS
——
漏源电压
…………………………………
200V
V
DGR
——
漏，栅极电压（R
GS
=1MΩ)
……………………500V
V
GSS
——
栅源电压
…………………………………
±
0V
3
I
D
——
1―G
2―D
3―S
*
漏电流
c
=25℃）
（T
…………………………………9.0A
*
漏电流受maximumjunction温度
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
Is
V
SD
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 -
源漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
200
2.0
０．３４
７．０５
５５０
85
22
11
70
60
65
22
3.6
10.2
１０
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
μＡ
V
DS
=200V，V
GS
=0
±100 �½�Ａ
V
GS
=±30V , V
DS
=0V
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
０．４
７２０
110
29
30
150
130
140
29
?
S
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 40V ，我
D
=4.5A *
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
=25V, V
GS
=0,f=1ＭＨ�½�
V
DD
=100V,
I
D
=9A
R
G
= 25
Ω
*
Ｖ
ＤＳ
＝０．８Ｖ
ＤＳＳ
Ｖ
ＧＳ
＝１０Ｖ
Ｉ
Ｄ
＝９．０Ａ ＊
I
S
= 9.0A ，V
GS
=0
下降时间
总栅极电荷
门“
源电荷
门“
漏极电荷
连续源电流
二极管的正向电压
９．０
１．５
Ａ
Ｖ
*脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
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