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HEP42C 参数 Datasheet PDF下载

HEP42C图片预览
型号: HEP42C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 65 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HEP42C的Datasheet PDF文件第2页  
PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
中功率线性开关应用。
HEP42C
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………………65W
P
C
--Collector
耗散
A
=25℃)………………………… 2W
(T
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-100V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-100V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………………-6A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………-2A
TO-220AB
1―Base,B
2―Collector,
C
3-发射器ê
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
辐射源
截止电流
集电极截止电流
-100 
 
 
 
30 
15 
 
 
3.0 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
-0.7 
-1 
 
100 
-1.5 
-2.0 
 
V 
�½�A 
�½�A 
 
 
V 
V 
MH�½� 
I
C
=-30mA,
I =0 
B
V
CE
= -60V ,我
B
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -4V ,我
C
=-0.3A 
V
CE
= -4V ,我
C
=-3A 
I
C
= -6A ,我
B
=-600mA
 
V
CE
= -4V ,我
C
=-6A
V
CE
= -10V ,我
C
=-500mA,
f=1MH�½�
-400  μA 
V
CE
=-100V, V
EB
=0
H
FE(1)
 
直流电流增益
H
FE(2)
 
直流电流增益
V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE(上)
f
T
基射极电压上
电流增益带宽积
h
FE(2)
分类
15—75
 
70—100